メタライズドセラミック基板
メタライズドセラミック基板
- 国
- ±50㎛
1.厚さ：0.1㎜～1.5㎜ / 4mil～60mil
2.切断精度：±50㎛
特徴
サブマウントはMARUWAが長年培ってきたメタライゼーション技術とセラミック材料技術を融合して開発しました。材料は、ラップアラウンドメタライゼーションなどのさまざまなパターン技術を使用してカスタマイズできます。この製品は、光ストレージ、光通信、RFアプリケーションなどの回路基板に使用されています。
メタライゼーションの一般仕様
| アイテム | 標準仕様 | ||
| 基板材料 | 材料 | アルミナ(アル2○3) | 99.5％、96％など |
| 窒化アルミニウム(AlN) | - | ||
| 誘電体基板 | e38、e93など。 | ||
| 厚さ | 0.1㎜～1.5㎜ / 4mil～60mil | ||
| ワークサイズ | 50.8㎜□(2インチ□)、2インチ×4インチ□、3インチ | ||
| フィルム仕様（導体） | 膜構成・膜厚 | ドライエッチング | ティ/ポイント/アウ=0.06/0.2/0.3㎛～2.0㎛程度 |
| ティ/PD/アウ=0.06/0.2/2.0㎛～10.0㎛程度 | |||
| ウェットエッチング | ティ/PD/アウ=0.06/0.2/2.0㎛～10.0㎛程度 | ||
| フィルム仕様（抵抗体） | シート抵抗 | 25Ω/□、50Ω/□(±20%) | 特殊仕様(±5%) |
| TCR | -50±50ppm/℃ | ||
| フィルム構成 | 窒化タンタル(Ta2N) | ||
| 皮膜仕様（はんだ） | 膜構成・膜厚 | 金/錫 | 1.5㎛～10㎛ |
| 加工仕様（薄膜回路） | 最小ライン&アンプ;スペース | ドライエッチング | L/S≧10㎛ |
| ウェットエッチング | L/S:20㎛/20㎛±10㎛ | ||
| 加工仕様（マシニング） | 切断精度 | ±50㎛ | |
| アイテム | 検査項目 | 測定検査機 |
| 品質保証 | サイズ | 測定顕微鏡 |
| 膜厚 | 蛍光X線・表面粗さ計 | |
| 抵抗 | デジタルマルチメータ | |
| 外観 | 顕微鏡 | |
| ワイヤーの強度 | PLTテスター |
製品タグ:
